
SQJ500AEP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ500AEP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ500AEP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | - | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 30 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 27mohm a 6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 38,1nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1850pF a 20V | |
Potenza - Max | 48W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.72000 | Fr. 1.72 |
10 | Fr. 1.10200 | Fr. 11.02 |
100 | Fr. 0.74700 | Fr. 74.70 |
500 | Fr. 0.59516 | Fr. 297.58 |
1’000 | Fr. 0.56867 | Fr. 568.67 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.46460 | Fr. 1’393.80 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.72000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.85932 |