Name: SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.93499 CHF
Availability: InStock

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SQJ500AEP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ500AEP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ500AEP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38,1nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1850pF a 20V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 48W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Configurazione Canale N e P	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 6A, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA	Codice componente base SQJ500

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In magazzino: 5’279

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.93499

SQJ500AEP-T1_GE3