
SQJ570EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ570EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ570EP-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V, 15nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650pF a 25V, 600pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 27W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 6A, 10V, 146mohm a 6A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
| 10 | Fr. 0.92500 | Fr. 9.25 |
| 100 | Fr. 0.62010 | Fr. 62.01 |
| 500 | Fr. 0.48950 | Fr. 244.75 |
| 1’000 | Fr. 0.44749 | Fr. 447.49 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.39414 | Fr. 1’182.42 |
| 6’000 | Fr. 0.36730 | Fr. 2’203.80 |
| 9’000 | Fr. 0.35363 | Fr. 3’182.67 |
| 15’000 | Fr. 0.33935 | Fr. 5’090.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.57826 |




