
SQJ910AEP-T1_BE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQJ910AEP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ910AEP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ910AEP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ910AEP-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 30 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 30 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 39nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1869pF a 15V | |
Potenza - Max | 48W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
| 10 | Fr. 0.92700 | Fr. 9.27 |
| 100 | Fr. 0.62340 | Fr. 62.34 |
| 500 | Fr. 0.49300 | Fr. 246.50 |
| 1’000 | Fr. 0.45106 | Fr. 451.06 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.43169 | Fr. 1’295.07 |
| 6’000 | Fr. 0.37104 | Fr. 2’226.24 |
| 9’000 | Fr. 0.36960 | Fr. 3’326.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.57826 |

