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SQJ912DEP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ912DEP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 36nC a 10V |
Serie | Potenza - Max 27W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,3mohm a 7A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 20’309
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.32000 | Fr. 1.32 |
| 10 | Fr. 0.83400 | Fr. 8.34 |
| 100 | Fr. 0.55570 | Fr. 55.57 |
| 500 | Fr. 0.43676 | Fr. 218.38 |
| 1’000 | Fr. 0.39847 | Fr. 398.47 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.34985 | Fr. 1’049.55 |
| 6’000 | Fr. 0.32538 | Fr. 1’952.28 |
| 9’000 | Fr. 0.31292 | Fr. 2’816.28 |
| 15’000 | Fr. 0.29892 | Fr. 4’483.80 |
| 21’000 | Fr. 0.29514 | Fr. 6’197.94 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.32000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.42692 |
