PowerPAK SO-8 Dual
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SQJ960EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJ960EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 8A 34W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ960EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
RDSon (max) a Id, Vgs
36mohm a 5,3A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
735pF a 25V
Potenza - Max
34W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
SQJ960
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In magazzino: 2’430
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.32000Fr. 2.32
10Fr. 1.50400Fr. 15.04
100Fr. 1.03740Fr. 103.74
500Fr. 0.85766Fr. 428.83
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.72536Fr. 2’176.08
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.32000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.50792
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