PowerPAK SO-8 Dual
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SQJ963EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SQJ963EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ963EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1140pF a 30V
Potenza - Max
27W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
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In magazzino: 1’986
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.06000Fr. 2.06
10Fr. 1.32600Fr. 13.26
100Fr. 0.90860Fr. 90.86
500Fr. 0.72982Fr. 364.91
1’000Fr. 0.72706Fr. 727.06
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.61444Fr. 1’843.32
6’000Fr. 0.61220Fr. 3’673.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.22686