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SQJ963EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ963EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ963EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1140pF a 30V |
Serie | Potenza - Max 27W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TA) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 3,5A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 5’702
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.14000 | Fr. 2.14 |
| 10 | Fr. 1.38200 | Fr. 13.82 |
| 100 | Fr. 0.94660 | Fr. 94.66 |
| 500 | Fr. 0.76042 | Fr. 380.21 |
| 1’000 | Fr. 0.70797 | Fr. 707.97 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.62457 | Fr. 1’873.71 |
| 6’000 | Fr. 0.58636 | Fr. 3’518.16 |
| 9’000 | Fr. 0.57841 | Fr. 5’205.69 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.31334 |
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