SQJA60EP-T1_BE3
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SQJ968EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SQJ968EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ968EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
23,5 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
33,6mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18,5nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
714pF a 30V
Potenza - Max
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.30000Fr. 1.30
10Fr. 0.82600Fr. 8.26
100Fr. 0.55220Fr. 55.22
500Fr. 0.43458Fr. 217.29
1’000Fr. 0.39674Fr. 396.74
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.34868Fr. 1’046.04
6’000Fr. 0.32450Fr. 1’947.00
9’000Fr. 0.31680Fr. 2’851.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.40530