Name: SQJ968EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ968EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SQJ968EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ968EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ968EP-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18,5nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 714pF a 30V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 42W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TA)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 33,6mohm a 4,8A, 10V	Codice componente base SQJ968
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.47016

SQJ968EP-T1_GE3