
SQJ974EP-T1_BE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQJ974EP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ974EP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ974EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ974EP-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 30 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1050pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 48W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 25,5mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.52000 | Fr. 1.52 |
| 10 | Fr. 0.96600 | Fr. 9.66 |
| 100 | Fr. 0.64950 | Fr. 64.95 |
| 500 | Fr. 0.51366 | Fr. 256.83 |
| 1’000 | Fr. 0.46996 | Fr. 469.96 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.44339 | Fr. 1’330.17 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.64312 |

