PowerPAK SO-8 Dual
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SQJB00EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJB00EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 30 A (Tc) 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJB00EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
13mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1700pF a 25V
Potenza - Max
48W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
SQJB00
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In magazzino: 4’112
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.27000Fr. 1.27
10Fr. 0.91400Fr. 9.14
100Fr. 0.63380Fr. 63.38
500Fr. 0.50162Fr. 250.81
1’000Fr. 0.46206Fr. 462.06
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.40511Fr. 1’215.33
6’000Fr. 0.39435Fr. 2’366.10
9’000Fr. 0.38181Fr. 3’436.29
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.27000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.37287