SQJA60EP-T1_BE3
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SQJB02ELP-T1_GE3

Codice DigiKey
742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJB02ELP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
7,5mohm a 6 A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1700pF a 20V
Potenza - Max
27W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
SQJB02
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In magazzino: 19’635
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.30000Fr. 1.30
10Fr. 0.82500Fr. 8.25
100Fr. 0.55080Fr. 55.08
500Fr. 0.43348Fr. 216.74
1’000Fr. 0.39570Fr. 395.70
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.34774Fr. 1’043.22
6’000Fr. 0.32361Fr. 1’941.66
9’000Fr. 0.31580Fr. 2’842.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.40530