Name: SQJB02ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SQJB02ELP-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJB02ELP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Potenza - Max 27W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 6 A, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA	Codice componente base SQJB02

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.47016

SQJB02ELP-T1_GE3