
SQJB70EP-T1_BE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQJB70EP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJB70EP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJB70EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJB70EP-T1_BE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 11,3 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 11,3 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 95mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 220pF a 25V | |
Potenza - Max | 27W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.10000 | Fr. 1.10 |
| 10 | Fr. 0.69400 | Fr. 6.94 |
| 100 | Fr. 0.46010 | Fr. 46.01 |
| 500 | Fr. 0.35944 | Fr. 179.72 |
| 1’000 | Fr. 0.32703 | Fr. 327.03 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.28588 | Fr. 857.64 |
| 6’000 | Fr. 0.26516 | Fr. 1’590.96 |
| 9’000 | Fr. 0.25461 | Fr. 2’291.49 |
| 15’000 | Fr. 0.25080 | Fr. 3’762.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.10000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.18910 |











