
SQJB70EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJB70EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJB70EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJB70EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJB70EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 11,3 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJB70EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 11,3 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 95mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 220pF a 25V | |
Potenza - Max | 27W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
10 | Fr. 0.65500 | Fr. 6.55 |
100 | Fr. 0.49560 | Fr. 49.56 |
500 | Fr. 0.38834 | Fr. 194.17 |
1’000 | Fr. 0.35381 | Fr. 353.81 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.30997 | Fr. 929.91 |
6’000 | Fr. 0.29008 | Fr. 1’740.48 |
9’000 | Fr. 0.28773 | Fr. 2’589.57 |
15’000 | Fr. 0.28085 | Fr. 4’212.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |