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SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJB80EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 30 A (Tc) 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJB80EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 48W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 8A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 14’758
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.54000 | Fr. 1.54 |
| 10 | Fr. 0.98200 | Fr. 9.82 |
| 100 | Fr. 0.66040 | Fr. 66.04 |
| 500 | Fr. 0.52264 | Fr. 261.32 |
| 1’000 | Fr. 0.47834 | Fr. 478.34 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.42209 | Fr. 1’266.27 |
| 6’000 | Fr. 0.39379 | Fr. 2’362.74 |
| 9’000 | Fr. 0.37938 | Fr. 3’414.42 |
| 15’000 | Fr. 0.36759 | Fr. 5’513.85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.66474 |
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