Name: SQJQ181EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND
Price: 3.59973 CHF
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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SQJQ181EL-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJQ181EL-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJQ181EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ181EL-T1_GE3
Descrizione	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 80 V 175 A (Tc) 348W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 230 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14481 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 348W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 175 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8
RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.15779	Fr. 2’315.58

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.59973

SQJQ181EL-T1_GE3