Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 3.41596 CHF
Availability: InStock

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SQJQ466E-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ466E-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 200 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJQ466E-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10210 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQJQ466
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA