SQM120N06-06_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SQM120N06-06_GE3
Codice DigiKey	SQM120N06-06_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQM120N06-06_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQM120N06-06_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQM120N06-06_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 120 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6495 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 30A, 10V	Codice componente base SQM120
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQJA04EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	3’234	SQJA04EP-T1_GE3CT-ND	Fr. 1.54000	Consigliato dal produttore
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SQM120N06-06_GE3