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SQM50028EM_GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SQM50028EM_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQM50028EM_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQM50028EM_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQM50028EM_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQM50028EM_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQM50028EM_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 185 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11900 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263-7 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ160EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SQJ160EP-T1_GE3CT-ND | Fr. 2.42000 | Consigliato dal produttore |
Obsoleto
