


SQS407ENW-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQS407ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS407ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS407ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS407ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8W |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,8mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 77 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4572 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8W | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.14000 | Fr. 1.14 |
10 | Fr. 0.49300 | Fr. 4.93 |
100 | Fr. 0.45270 | Fr. 45.27 |
500 | Fr. 0.40404 | Fr. 202.02 |
1’000 | Fr. 0.37679 | Fr. 376.79 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.29770 | Fr. 893.10 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.14000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.23234 |