
SQS484ENW-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQS484ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS484ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS484ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS484ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQS484ENW-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1800 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.99000 | Fr. 0.99 |
10 | Fr. 0.66700 | Fr. 6.67 |
100 | Fr. 0.44110 | Fr. 44.11 |
500 | Fr. 0.34406 | Fr. 172.03 |
1’000 | Fr. 0.31280 | Fr. 312.80 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.27310 | Fr. 819.30 |
6’000 | Fr. 0.25311 | Fr. 1’518.66 |
9’000 | Fr. 0.24235 | Fr. 2’181.15 |
15’000 | Fr. 0.23760 | Fr. 3’564.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.99000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.07019 |