
SQS966ENW-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS966ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerPAK® 1212-8W doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 36mohm a 1,25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8,8nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 572pF a 25V | |
Potenza - Max | 27,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale, fianchi impregnabili | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8W doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8W doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.83000 | Fr. 0.83 |
| 10 | Fr. 0.61900 | Fr. 6.19 |
| 100 | Fr. 0.48060 | Fr. 48.06 |
| 500 | Fr. 0.39780 | Fr. 198.90 |
| 1’000 | Fr. 0.36259 | Fr. 362.59 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.31787 | Fr. 953.61 |
| 6’000 | Fr. 0.29537 | Fr. 1’772.22 |
| 9’000 | Fr. 0.28930 | Fr. 2’603.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89723 |

