Name: SUD08P06-155L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD08P06-155L-GE3TR-ND
Price: 1.38368 CHF
Availability: InStock

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SUD08P06-155L-GE3
Codice DigiKey	SUD08P06-155L-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD08P06-155L-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD08P06-155L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD08P06-155L-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 8,4 A (Tc) 1,7W (Ta), 20,8W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUD08P06-155L-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 450 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Ta), 20,8W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SUD08
RDSon (max) a Id, Vgs 155mohm a 5A, 10V

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In magazzino: 16’213

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 0.32979	Fr. 659.58
4’000	Fr. 0.32757	Fr. 1’310.28

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.28000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.38368

SUD08P06-155L-GE3