Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 3.37272 CHF
Availability: InStock

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SUD19N20-90-E3
Codice DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD19N20-90-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 19 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUD19N20-90-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SUD19
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 5A, 10V

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In magazzino: 2’603

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.01371	Fr. 2’027.42
4’000	Fr. 0.96401	Fr. 3’856.04

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.37272

SUD19N20-90-E3