Name: SUD20N10-66L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD20N10-66L-GE3TR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

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SUD20N10-66L-GE3
Codice DigiKey	SUD20N10-66L-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD20N10-66L-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD20N10-66L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD20N10-66L-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 16,9 A (Tc) 2,1W (Ta), 41,7W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	66mohm a 6,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	860 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 41,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SUD20

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Nastrato in bobina (TR)