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Prezzo unitario : Fr. 0.93000
Scheda tecnica
SIHD5N80AE-GE3
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SUD50N024-09P-E3

Codice DigiKey
SUD50N024-09P-E3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SUD50N024-09P-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 22 V 49 A (Tc) 6,5W (Ta), 39,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
22 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6,5W (Ta), 39,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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