Name: SUM110P06-08L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P06-08L-E3TR-ND
Price: 4.81045 CHF
Availability: OutOfStock

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SUM110P06-08L-E3
Codice DigiKey	SUM110P06-08L-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUM110P06-08L-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUM110P06-08L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM110P06-08L-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	63 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 110 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUM110P06-08L-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 240 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9200 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 272W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SUM110
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 30A, 10V