Name: SUM60020E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60020E-GE3TR-ND
Price: 5.22123 CHF
Availability: InStock

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SUM60020E-GE3
Codice DigiKey	SUM60020E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUM60020E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUM60020E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM60020E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 150 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUM60020E-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 227 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10680 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SUM60020
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 30A, 10V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.22123

SUM60020E-GE3