Canale N 100 V 131 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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SUM70060E-GE3

Codice DigiKey
SUM70060E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SUM70060E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SUM70060E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 131 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SUM70060E-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
81 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3330 pF @ 50 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
5,6mohm a 30 A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 24’116
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.34000Fr. 2.34
10Fr. 1.51600Fr. 15.16
100Fr. 1.04390Fr. 104.39
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.79668Fr. 637.34
1’600Fr. 0.73897Fr. 1’182.35
2’400Fr. 0.70958Fr. 1’702.99
4’000Fr. 0.67656Fr. 2’706.24
5’600Fr. 0.65702Fr. 3’679.31
8’000Fr. 0.65339Fr. 5’227.12
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.52954