SQM120P04-04L_GE3
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SUM70090E-GE3

Codice DigiKey
SUM70090E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SUM70090E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SUM70090E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 50 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SUM70090E-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
ThunderFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,9mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SUM70090
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In magazzino: 988
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.91000Fr. 1.91
10Fr. 1.22700Fr. 12.27
100Fr. 0.83700Fr. 83.70
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.63263Fr. 506.10
1’600Fr. 0.58491Fr. 935.86
2’400Fr. 0.56060Fr. 1’345.44
4’000Fr. 0.53600Fr. 2’144.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.91000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.06471