Name: SUM90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM90100E-GE3-ND
Price: 4.45372 CHF
Availability: InStock

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SUM90100E-GE3
Codice DigiKey	742-SUM90100E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM90100E-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 11,4mohm a 16A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3930 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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