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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SUP50020E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SUP50020E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 2,4mohm a 30A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | Fr. 3.81000 | Simile |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | Fr. 3.38000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.26000 | Fr. 3.26 |
| 50 | Fr. 1.65920 | Fr. 82.96 |
| 100 | Fr. 1.50360 | Fr. 150.36 |
| 500 | Fr. 1.23114 | Fr. 615.57 |
| 1’000 | Fr. 1.14363 | Fr. 1’143.63 |
| 2’000 | Fr. 1.07007 | Fr. 2’140.14 |
| 5’000 | Fr. 1.02536 | Fr. 5’126.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.26000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.52406 |



