Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 4.24833 CHF
Availability: InStock

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SUP60030E-GE3
Codice DigiKey	SUP60030E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUP60030E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUP60030E-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 141 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Sfuso	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7910 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SUP60030
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 30A, 10V

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.24833

SUP60030E-GE3