Consigliato dal produttore
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SUP90N06-6M0P-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SUP90N06-6M0P-E3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SUP90N06-6M0P-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SUP90N06-6M0P-E3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4700 pF @ 30 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 272W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 20A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SUP50010E-GE3 | Vishay Siliconix | 54 | SUP50010E-GE3-ND | Fr. 4.05000 | Consigliato dal produttore |
| CSD18533KCS | Texas Instruments | 11’262 | 296-35013-ND | Fr. 1.92000 | Simile |
| FDP070AN06A0 | onsemi | 804 | FDP070AN06A0-ND | Fr. 2.51000 | Simile |
| FDP5800 | onsemi | 46 | FDP5800-ND | Fr. 2.59000 | Simile |
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | 786 | 448-IRFB3307PBF-ND | Fr. 2.66000 | Simile |







