SUP90N06-6M0P-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SUP90N06-6M0P-E3
Codice DigiKey	SUP90N06-6M0P-E3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUP90N06-6M0P-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUP90N06-6M0P-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4700 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,75W (Ta), 272W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SUP90

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