TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

TP0610K-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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TP0610K-T1-GE3
Codice DigiKey	TP0610K-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) TP0610K-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TP0610K-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	TP0610K-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TP0610K-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.7 nC @ 15 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 23 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 185mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TP0610
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 500mA, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSS84 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	13’700	1801-BSS84RFGCT-ND	Fr. 0.18000	Simile
BSS84PH6327XTSA2	Infineon Technologies	281’520	BSS84PH6327XTSA2CT-ND	Fr. 0.22000	Simile
TQM84KCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	529	1801-TQM84KCXRFGCT-ND	Fr. 0.23000	Simile
ZXMP6A13FTA	Diodes Incorporated	0	ZXMP6A13FCT-ND	Fr. 0.68000	Simile

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