NXPSC126506Q è obsoleto e non è più in produzione.
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Equivalente parametrico

TRS12E65F,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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Prezzo unitario : Fr. 2.89000
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TO-220-2
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NXPSC126506Q

Codice DigiKey
1740-NXPSC126506Q-ND
Produttore
WeEn Semiconductors
Codice produttore
NXPSC126506Q
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220AC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
WeEn Semiconductors
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.7 V @ 12 A
Velocità
Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
80 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
380pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220AC
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C (max)
Codice componente base
NXPSC
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Obsoleto
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