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Equivalente parametrico


Littelfuse Inc.
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Equivalente parametrico


Taiwan Semiconductor Corporation
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Equivalente parametrico


Taiwan Semiconductor Corporation
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Scheda tecnica
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P1KSMBJ75AJ

Codice DigiKey
1740-P1KSMBJ75AJTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
P1KSMBJ75AJ
Descrizione
TVS DIODE 64.1VWM 103VC SMB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
103V Fascetta 9,7A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale SMB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
64,1V
Tensione - Rottura (min)
71,3V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
103V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
9,7A
Potenza - Impulso di picco
1000W (1kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
Uso generale
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AA, SMB
Contenitore del fornitore
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
24’000Fr. 0.08814Fr. 2’115.36
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.08814
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.09528