Canale N 1200 V 34 A (Tc) 172W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
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C3M0075120J2-TR

Codice DigiKey
1697-C3M0075120J2-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1697-C3M0075120J2-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1697-C3M0075120J2-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
C3M0075120J2-TR
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 34A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 34 A (Tc) 172W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
97,5mohm a 17,9A, 15V
Produttore
Vgs(th) max a Id
3,8V a 5mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
52 nC @ 15 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
+19V, -8V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1480 pF @ 1000 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
172W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMWSH120H90SCT7Diodes Incorporated031-DMWSH120H90SCT7-NDFr. 4.23480Simile
In magazzino: 34
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.92000Fr. 6.92
10Fr. 4.73200Fr. 47.32
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 3.77893Fr. 3’023.14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 7.48052