TO263-7
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C3M0120065J

Codice DigiKey
1697-C3M0120065J-ND
Produttore
Codice produttore
C3M0120065J
Descrizione
650V 120M SIC MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
C3M0120065J Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V
RDSon (max) a Id, Vgs
157mohm a 6,76A, 15V
Vgs(th) max a Id
3,6V a 1,86mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26 nC @ 15 V
Vgs (max)
+19V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
640 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
86W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10Fr. 5.86800Fr. 58.68
50Fr. 5.19500Fr. 259.75
100Fr. 4.98650Fr. 498.65
250Fr. 4.76636Fr. 1’191.59
500Fr. 4.63372Fr. 2’316.86
1’000Fr. 4.52453Fr. 4’524.53
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 7.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 8.16155