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Scheda tecnica
Nuovo prodotto
ECB2R1M12YM3
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ECB2R8M12YM3

Codice DigiKey
1697-ECB2R8M12YM3-ND
Produttore
Codice produttore
ECB2R8M12YM3
Descrizione
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 545A 1,485kW (Tj) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Wolfspeed, Inc.
Serie
-
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
6 canale N (inverter trifase)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
545A
RDSon (max) a Id, Vgs
3,7mohm a 450A, 15V
Vgs(th) max a Id
3,6V a 125mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1272nC a 15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
38500pF a 800V
Potenza - Max
1,485kW (Tj)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
-
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