XP2306GN YAGEO XSEMI | FET, MOSFET singoli

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YAGEO XSEMI

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XP2306GN
Codice DigiKey	5048-XP2306GNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP2306GNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP2306GNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP2306GN
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5,3 A (Ta) 1,38W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 5,5A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 1,25V a 250µA
Serie XP2306	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.7 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 603 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,38W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
XP2N030EN	YAGEO XSEMI	0	5048-XP2N030ENTR-ND	Fr. 0.03596	Consigliato dal produttore

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