Canale N 20 V 2,5 A (Ta) 833mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
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Canale N 20 V 2,5 A (Ta) 833mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP2322GN

Codice DigiKey
5048-XP2322GNTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5048-XP2322GNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5048-XP2322GNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
XP2322GN
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 2,5 A (Ta) 833mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 1,6A, 4,5V
Produttore
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
560 pF @ 20 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
833mW (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
SOT-23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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