XP2530AGY YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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XP2530AGY
Codice DigiKey	5048-XP2530AGYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP2530AGYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP2530AGY
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) A montaggio superficiale SOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	72mohm a 3A, 10V, 150mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	320pF a 15V, 260pF a 15V
Potenza - Max	1,136W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6
Contenitore del fornitore	SOT-26