XP2615GEY YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

XP2615GEY
Codice DigiKey	5048-XP2615GEYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP2615GEYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP2615GEYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP2615GEY
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 5A SOT26
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP2615
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1330 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-26
Contenitore/involucro	SOT-23-6