
XP3C011M | |
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Codice DigiKey | 5048-XP3C011MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | XP3C011M |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 9A, 10V, 22mohm a 7A, 10V |
Produttore YAGEO XSEMI | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 4,5V, 20,8nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1440pF a 25V, 2080pF a 25V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) | Contenitore del fornitore 8-SO |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.14607 | Fr. 438.21 |
| 6’000 | Fr. 0.13910 | Fr. 834.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.14607 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.15790 |

