MOSFET - Array 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
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XP3C011M

Codice DigiKey
5048-XP3C011MTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
XP3C011M
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 9A, 10V, 22mohm a 7A, 10V
Produttore
YAGEO XSEMI
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16nC a 4,5V, 20,8nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1440pF a 25V, 2080pF a 25V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
2W (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10,8A (Ta), 7,8A (Ta)
Contenitore del fornitore
8-SO
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.14607Fr. 438.21
6’000Fr. 0.13910Fr. 834.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.14607
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.15790