Name: XP3N020YT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N020YTTR-ND
Price: 0.39997 CHF
Availability: InStock

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XP3N020YT
Codice DigiKey	5048-XP3N020YTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3N020YTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3N020YTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3N020YT
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta) 3,12W (Ta) A montaggio superficiale PMPAK® 3 x 3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore YAGEO XSEMI	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Serie XP3N020	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 880 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,12W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PMPAK® 3 x 3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base XP3N
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 10A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.39997

XP3N020YT