Name: XP3N5R0M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0MTR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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XP3N5R0M
Codice DigiKey	5048-XP3N5R0MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3N5R0MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3N5R0MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3N5R0M
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 17.4A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 17,4A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 16A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP3N5R0	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3040 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,4A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.59455

XP3N5R0M