Novità in DigiKey
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XP3NA3R4AMT

Codice DigiKey
5048-XP3NA3R4AMTTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
YAGEO XSEMI
Codice produttore
XP3NA3R4AMT
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 29A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,2W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
YAGEO XSEMI
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
29A (Ta), 73A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,4mohm a 19A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2576 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 31,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-PMPAK (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerLDFN
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