Name: XP3NA7R2MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA7R2MTTR-ND
Price: 0.62698 CHF
Availability: InStock

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XP3NA7R2MT
Codice DigiKey	5048-XP3NA7R2MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3NA7R2MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3NA7R2MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3NA7R2MT
Descrizione	FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20,4A (Ta), 43,5A (Tc) 5W (Ta), 22,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 7,2mohm a 9,5A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie XP3NA7R2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 22,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,4A (Ta), 43,5A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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In magazzino: 996

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.12766	Fr. 382.98
6’000	Fr. 0.11810	Fr. 708.60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.62698

XP3NA7R2MT