Name: XP3NA7R2MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA7R2MTTR-ND
Price: 0.61617 CHF
Availability: InStock

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XP3NA7R2MT
Codice DigiKey	5048-XP3NA7R2MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3NA7R2MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3NA7R2MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3NA7R2MT
Descrizione	FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20,4A (Ta), 43,5A (Tc) 5W (Ta), 22,7W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3NA7R2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20,4A (Ta), 43,5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,2mohm a 9,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1600 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 22,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PMPAK® 5 x 6
Contenitore/involucro	8-PowerLDFN

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Nastrato in bobina (TR)